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FDC653N库存信息

更新时间:2020-01-24 23:01:00
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  • 数量
  • 批号
  • 封装
  • 备注
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  • 询价
  • FDC653N
  • FSC
  • 9000
  • 2016+
  • SOT23-6
  • 只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
  • 询价
  • FDC653N
  • FSC
  • 8880
  • 2016+
  • SOT23-6
  • 只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
  • 询价
  • FDC653N
  • FAIRCHILD
  • 3500
  • 2016+
  • SOT23-6
  • 只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
  • 询价

FDC653N中文资料

功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDC653N PDF资料

型号: FDC653N 前往资料站下载: 下载
原厂全称: Fairchild Semiconductor Corporation 原厂简称: FAIRCHILD
页数: 4 文件大小: 69 /kb
说明: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor