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SI6963DQ-T1-E3库存信息

更新时间:2020-01-28 23:01:00
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  • SI6963DQ-T1-E3
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SI6963DQ-T1-E3中文资料

功能描述:MOSFET 20V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube